Spis treści

Roman Kieroński

Zaproszenie na obronę pracy doktorskiej

DZIEKAN i RADA WYDZIAŁU
ELEKTROTECHNIKI, AUTOMATYKI, INFORMATYKI i ELEKTRONIKI
AKADEMII GÓRNICZO-HUTNICZEJ im. ST. STASZICA W KRAKOWIE
zapraszają na
publiczą dyskusję nad rozprawą doktorską

mgra inż. Romana Kierońskiego
Analiza pracy i sposób sterowania dwułącznikowego falownika napięcia do nagrzewania indukcyjnego
Obrona rozprawy doktorskiej odbędzie się 31 maja 2012 roku o godz. 12.00
w pawilonie B-1, w sali nr 4, parter, AGH-Kraków, al. Mickiewicza 30
PROMOTOR: Dr hab. inż. Jerzy Pasternak, prof. n. AGH
RECENZENCI: prof. Mieczysław Hering
prof. dr hab. inż. Tadeusz Orzechowski
Z rozprawą doktorską i opiniami recenzentów można się zapoznać
w Czytelni Biblioteki Głównej AGH, al. Mickiewicza 30



Streszczenie

Analiza pracy i sposób sterowania dwułącznikowego falownika napięcia do nagrzewania indukcyjnego

mgr inż. Roman Kieroński


Promotor: Dr hab. inż. Jerzy Pasternak, prof. n. AGH
Dyscyplina: Elektrotechnika

Znaczne zapotrzebowanie na nowoczesne źródła wielkiej częstotliwości nagrzewania indukcyjnego zainspirowało pomysł zbudowania generatora wielkiej częstotliwości (w. cz.) z półprzewodnikowymi przyrządami mocy, które w przyszłości prawdopodobnie zastąpią generatory lampowe. W tym celu rozważono nowy układ falownika o takim sposobie sterowania jego łącznikami aby stworzyć możliwości osiągania jak najwyższych częstotliwości i mocy. W pracach teoretycznych dotyczących szczegółowej analizy układu falownika posłużono się rachunkiem różniczkowym, operatorowym i macierzowym oraz przekształceniami trygonometrycznymi i Fouriera. W wyniku tych prac wyprowadzono wzory na wielkości elektryczne związane z elementami układu. Następnie przeprowadzone zostały symulacje komputerowe przy użyciu programów C++, Pspice i Matlab rozpatrywanego układu falownika. Jako generatory w. cz. wykonano prototypy przemienników do nagrzewania indukcyjnego o częstotliwości 100 kHz i mocy 2 kW oraz o częstotliwości 1 MHz na nowoczesnych łącznikach energoelektronicznych - szybkich tranzystorach mocy MOSFET. Z porównania wyników uzyskano dobrą zgodność pomiędzy wynikami pomiarów na prototypach a wynikami komputerowych obliczeń symulacyjnych.